O analista Edison Lee, da firma de investimentos Jefferies, jogou hoje um balde de água fria sobre as expectativas de um modelo comemorativo do “iPhone 20”, citando o cancelamento do projeto desse dispositivo.
Conforme repercutido pelo Barron’s, Lee indica que o projeto foi cancelado devido ao “baixo rendimento de produção”. Não é possível afirmar, porém, se o analista acredita que o especulado redesenho foi cancelado ou apenas alguns aspectos dele.
Embora a Jefferies já tenha considerado plausível o lançamento de um iPhone feito inteiramente de vidro, Lee acredita que o desenvolvimento foi interrompido. Segundo o analista, verificações na cadeia de suprimentos sugerem que o projeto foi cancelado devido ao baixo rendimento de produção.
Fato é que, devido a essa previsão, a Jefferies rebaixou a recomendação das ações da Apple [$AAPL] de “manutenção” para um possível “desempenho abaixo da média”. Isso porque o modelo comemorativo deveria contribuir para uma maior participação das variantes Pro e Pro Max nas vendas, que oferecem margens de lucro maiores.
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O analista cita, ainda, indícios de que o próspero iPhone dobrável — o “iPhone Ultra” — terá um preço mais elevado do que o esperado, de modo que ele poderá ser a única alavanca para a Apple aumentar seus preços médios de venda e suas margens de lucro.
No entanto, devido aos custos mais elevados de componentes de memória, a empresa prevê que o preço inicial do futuro modelo dobrável será de US$2.100, chegando a US$3.100 para a versão com 2TB de armazenamento.
Ainda em termos de memória, a firma de investimento também aponta para um aumento da memória DRAM 1Dynamic random access memory, ou memória dinâmica de acesso aleatório. exclusivamente no “iPhone 19 Pro Max”, que deverá ter 16GB — o que, segundo a análise, sinaliza um progresso no desenvolvimento da Apple Intelligence. Contudo, caso os preços das memórias continuem subindo até 2027, a empresa afirma que a Apple poderá descartar totalmente essa atualização.
via Notebookcheck
Notas de rodapé
- 1Dynamic random access memory, ou memória dinâmica de acesso aleatório.