Como sabemos, os processadores mais recentes de iPhones e Macs são fabricados a partir de um processo de 3 nanômetros (de terceira geração) — e as expectativas são de que a Apple adote a litografia de 2nm, mais avançada, para diversos dispositivos em 2026, já tendo garantido uma parcela significativa da capacidade inicial de produção de N2 da TSMC.
A Samsung, porém, se antecipou em relação à Apple e apresentou oficialmente o Exynos 2600, o primeiro SoC 1 de 2nm para dispositivos móveis (como a futura linha “Galaxy S26”) do mundo.
O chip utiliza núcleos Arm de última geração e suporta novas instruções para melhorar a velocidade da CPU 2 e a execução de tarefas de inteligência artificial no dispositivo. A Samsung promete um aumento de até 39% no desempenho da CPU e uma NPU 3 113% mais rápida.
Já a GPU 4 é baseada no design Xclipse mais recente, que, segundo a Samsung, dobra o desempenho gráfico anterior e aumenta o desempenho de ray tracing em até 50%.
🆕 Samsung Exynos 2600, powered by Arm, brings faster, more efficient on-CPU ML to next-gen devices.
— Arm (@Arm) December 19, 2025
Built on Arm Compute Subsystems – using C1-Ultra, C1-Pro and SME2 – it delivers high-performance, low-latency AI, expanding what’s possible on device.
Congrats,… pic.twitter.com/VyS4ZlGc6c
Construído sobre os subsistemas de computação Arm — usando C1-Ultra, C1-Pro e SME2 — ele oferece IA de alto desempenho e baixa latência, expandindo as possibilidades em dispositivos.
Parabéns, @SamsungDSGlobal! 👏 okt.to/MHmn9b
Para solucionar problemas de chips Exynos anteriores — como superaquecimento e throttling —, a Samsung introduziu uma nova abordagem térmica chamada Heat Path Block (HPB), a qual utiliza um material de alta constante dielétrica (High-k) para melhorar a dissipação de calor, permitindo que o processador mais recente mantenha níveis de desempenho elevados mesmo sob cargas de trabalho contínuas.
Vale notar que, comparado aos chips de 3nm atuais, o processo de 2nm da TSMC promete um desempenho até 15% superior com o mesmo nível de consumo de energia — ou um consumo de energia 25% a 30% menor com o mesmo nível de desempenho. O processo também alcança uma densidade de transistores aproximadamente 15% maior, permitindo que mais funcionalidades sejam integradas no mesmo espaço físico.